年末产能翻倍！存储龙头拟扩产AI芯片“标配” 刚获英伟达下一
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业内人士表示，扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。
据台湾电子时报援引韩媒报道称，由于AI半导体需求增加，存储龙头之一的SK海力士正在扩建HBM产线，计划将HBM产能翻倍。
业内人士表示，扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。
值得一提的是，SK海力士在去年6月已率先量产了DRAM HBM3，且已供货英伟达的H100。
另据Business Korea报道显示，英伟达已要求SK 海力士提供HBM3E样品，后者正在准备出货样品。
HBM3E是DRAM HBM3的下一代产品。目前，SK海力士正在开发HBM3E，目标明年上半年量产。通常在产品开发完成后，样品会提供给客户进行认证。SK hynix副总裁Park Myung-soo今年4月曾透露，公司正在准备下半年的8Gbps HBM3E产品样品。
之前在半导体寒冬中，SK海力士已决定缩减今年设备投资规模。但即便是在这种情况下，公司也没有放弃热门产品的机会。在今年Q1业绩说明会上，SK海力士表示，今年投资将同比减少50%，公司将执行投资DDR5、LPDDR5、HBM3等产品生产，以应对下半年及明年的需求增长。
