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年末产能翻倍!存储龙头拟扩产AI芯片“标配” 刚获英伟达下一

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  业内人士表示,扩产焦点在于HBM3,SK海力士正在准备投资后段工艺设备,将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末,后段工艺设备规模将增加近一倍。
  据台湾电子时报援引韩媒报道称,由于AI半导体需求增加,存储龙头之一的SK海力士正在扩建HBM产线,计划将HBM产能翻倍。
  业内人士表示,扩产焦点在于HBM3,SK海力士正在准备投资后段工艺设备,将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末,后段工艺设备规模将增加近一倍。
  值得一提的是,SK海力士在去年6月已率先量产了DRAM HBM3,且已供货英伟达的H100。
  另据Business Korea报道显示,英伟达已要求SK 海力士提供HBM3E样品,后者正在准备出货样品。
  HBM3E是DRAM HBM3的下一代产品。目前,SK海力士正在开发HBM3E,目标明年上半年量产。通常在产品开发完成后,样品会提供给客户进行认证。SK hynix副总裁Park Myung-soo今年4月曾透露,公司正在准备下半年的8Gbps HBM3E产品样品。
  之前在半导体寒冬中,SK海力士已决定缩减今年设备投资规模。但即便是在这种情况下,公司也没有放弃热门产品的机会。在今年Q1业绩说明会上,SK海力士表示,今年投资将同比减少50%,公司将执行投资DDR5、LPDDR5、HBM3等产品生产,以应对下半年及明年的需求增长。